特許
J-GLOBAL ID：200903018904291007
ゲート接地アンプ、増幅型MOSイメージセンサおよび イメージセンサユニット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128293
公開番号（公開出願番号）：特開平10-322140
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】動作速度が早くしかもゲインが大きいゲート接地アンプ、増幅型MOSイメージセンサおよびイメージセンサユニットを提供する。【解決手段】ドライブ用MOSFET1のソースにソース抵抗5を接続し、MOSFET1のゲートにゲート電位保持用コンデンサ4とドレイン電位伝達用MOSFET3のドレインを接続し、MOSFET1のドレインに負荷抵抗2とMOSFET3のソースを接続してなり、基準信号の出力タイミングでMOSFET3をON状態にすることによって、MOSFET1のゲートをそのドレイン電位に等しい電圧にバイアスし、MOSFET1のソースに信号電流を入力し、MOSFET1のドレインから信号電圧を出力させる。
請求項（抜粋）：
ドライブ用MOSFETと負荷抵抗とドレイン電位伝達用MOSFETとゲート電位保持用コンデンサとソース抵抗からなるゲート接地アンプであって、前記ドライブ用MOSFETのソースに前記ソース抵抗を接続し、前記ドライブ用MOSFETのゲートに前記ゲート電位保持用コンデンサと前記ドレイン電位伝達用MOSFETのドレインを接続し、前記ドライブ用MOSFETのドレインに前記負荷抵抗と前記ドレイン電位伝達用MOSFETのソースを接続してなり、基準信号の出力タイミングで前記ドレイン電位伝達用MOSFETをON状態にすることによって、前記ドライブ用MOSFETのゲートをそのドレイン電位に等しい電圧にバイアスし、前記ドライブ用MOSFETのソースに信号電流を入力し、前記ドライブ用MOSFETのドレインから信号電圧を出力させることを特徴とするゲート接地アンプ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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