エッチングマスクおよびその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215820
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049136
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】少なくともAlとNを含む化合物層や該層と下地層との界面などに損傷を発生することなく、この化合物層を所望の形状にエッチングできるエッチングマスク及びその形成方法を提供する。【解決手段】サファイア基板1上にMOCVD法によりGaNバッファ層2を低温成長させた後、GaN層3とAlN層4を順次成長させる。次に遠隔プラズマCVD法でAlN層4の全面に厚さ0.2μmのSiO2 膜5を形成後、その上にレジストパターンを形成し、それをマスクとしてSiO2 膜5をドライエッチング法によりパターニングしてエッチングマスク6を形成する。その後レジストパターンを除去し、エッチングマスク6を用いレジスト現像液の60°C加熱原液に基板を入れてAlN層4をウェットエッチングした後、フッ酸系液を用いてエッチングマスクをエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

少なくともAlとNとを含む化合物層をエッチングする際に用いられるエッチングマスクにおいて、熱化学気相成長法またはリモートプラズマ化学気相成長法により上記化合物層上に形成された絶縁膜からなることを特徴とするエッチングマスク。

IPC (7件)：

H01L 21/306 , C23C 16/34 , C23C 16/50 , H01L 21/3065 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/31

FI (6件)：

H01L 21/306 B , C23C 16/34 , C23C 16/50 Z , H01L 21/31 C , H01L 21/302 J , H01L 29/80 B

Fターム (50件)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030DA05 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030LA02 , 4K030LA14 , 5F004AA04 , 5F004AA06 , 5F004DB12 , 5F004DB19 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA10 , 5F043AA16 , 5F043AA33 , 5F043BB10 , 5F043BB22 , 5F043DD07 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AA20 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AE19 , 5F045AE25 , 5F045BB16 , 5F045HA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GQ02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15

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