特許
J-GLOBAL ID：200903018916104121
シリコン薄板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191820
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：
【要約】【目的】 生産性が良好でかつ製造コストの低減が図れるシリコン薄板の製造方法を提供すること。【構成】 るつぼ40内のシリコン融液と気相との界面を冷却しこの界面でシリコンを析出させて結晶性シリコンの薄板80を製造する方法であって、上記シリコン融液が、インジウム、スズ、及び、ガリウムから選択された融剤にシリコン板80を溶解させた融液により構成されていることを特徴とする。そして、シリコンを融解して求めたシリコン融液を適用する従来法に較べてその系をシリコンの融点以上に保つ必要がなくなるため、シリコン薄板製造時におけるプロセス温度の低減が図れ、従って、安価な構成部品の適用が可能になると共に投入するエネルギーの低減も図ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
るつぼ内のシリコン融液と気相との界面を冷却し、この界面でシリコンを析出させて結晶性シリコンの薄板を製造するシリコン薄板の製造方法において、上記シリコン融液が、インジウム、スズ、及び、ガリウムから選択された融剤にシリコンを溶解させた融液により構成されていることを特徴とするシリコン薄板の製造方法。
IPC (4件)：
C01B 33/02
, C30B 19/00
, C30B 29/06 503
, H01L 31/04
