特許

J-GLOBAL ID：200903018920083015

セラミック基板への銅メタライズ用下地層

発明者： 高橋 広明 ,  吉澤 出 ,  川原 智之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287838
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139573
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板に銅メタライズする際に形成しておく下地層であって、セラミック基板表面の粗面化を行うことなく銅メタライズしても、密着力が強い銅の導体層を得ることを可能にする下地層を提供する。【解決手段】 セラミック基板にメッキ法で銅メタライズする際に予めセラミック基板表面に形成しておく下地層であって、セラミック基板の表面に形成した銅、ビスマス及びマグネシウムの各元素を含有する膜を、酸化性雰囲気中で熱処理した後、還元性溶液中に浸漬して還元処理してなる下地層。また、上記の銅メタライズ用下地層において、膜がアルミニウム元素をも含有している下地層。

請求項（抜粋）：

セラミック基板にメッキ法で銅メタライズする際に予めセラミック基板表面に形成しておく下地層であって、セラミック基板の表面に形成した銅、ビスマス及びマグネシウムの各元素を含有する膜を、酸化性雰囲気中で熱処理した後、還元性溶液中に浸漬して還元処理してなる、セラミック基板への銅メタライズ用下地層。

IPC (4件)：

C04B 41/88 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/40 ,  H05K 3/24

FI (4件)：

C04B 41/88 A ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/40 ,  H05K 3/24 C