特許
J-GLOBAL ID：200903018928317724
フッ素化非晶質炭素膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222557
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置及び実装基板等に使用が検討されているフッ素化非晶質炭素膜、を高速に及び良質に製造する手法を提供する。【構成】 プラズマ発生部と堆積させる基板とが分離している構造の、高密度プラズマ源を用いてフッ素化非晶質炭素膜を形成する。この様な高密度プラズマを用いた場合、成膜に寄与するラジカル密度を高くすることができるので、これにより成膜速度を上昇させることができる。またプラズマ発生部と堆積部とを分離することにより、イオンエネルギーを小さく抑えることができるため、エッチング反応が抑制され、水素源の添加無しにフッ素化非晶質炭素膜を堆積させることが可能となる。さらに堆積させる基板に高周波電力を印加し、バイアス電圧を変化させることにより、イオンのエネルギーを最適化させる事ができ、膜の耐熱性等の膜質向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いたフッ素化非晶質炭素膜の製造方法に関して、原料にCx Fy(x=1-4,y=4-8)ガスのみを用いて、しかもプラズマ源として当該炭素膜を堆積させる基板がプラズマ発生部外に存在する高密度プラズマを用いることを特徴とするフッ素化非晶質炭素膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/314
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/314 A
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 B
