特許

J-GLOBAL ID：200903018932005710

CVD、PECVDまたはプラズマエッチング反応器からの排出ガスを処理する方法および装置

発明者： ケネス エイ.エイチスン
出願人/特許権者： ノヴェラス システムズ,インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243572
公開番号（公開出願番号）：特開平10-094715
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体プロセス排出ガスから熱堆積可能なガス成分を除去する方法およびその装置を提供する。【解決方法】 排出ガス処理のために加熱状態の人工基体を備える排出ガス反応器を用いる。この人工基体は高温化学気相成長(HTCVD)反応生成物をその表面に堆積させるためのものである。HTCVD反応生成物は排出ガスを加熱状態の人工基体と接触させることによって堆積させる。

請求項（抜粋）：

人工基体と、その人工基体を加熱する手段とを含む排出ガス反応器。

IPC (8件)：

B01D 53/68 ,  B01D 53/32 ,  B01J 15/00 ,  B01J 19/12 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (8件)：

B01D 53/34 134 C ,  B01D 53/32 ,  B01J 15/00 ,  B01J 19/12 A ,  C23C 16/44 E ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B