特許
J-GLOBAL ID：200903018936062794
セラミックス膜およびその製造方法、ならびに強誘電体キャパシタ、半導体装置、その他の素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002005903
公開番号（公開出願番号）：WO2002-102709
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月27日
要約：
セラミックス膜の製造方法は、第1の原料液と、第2の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第1の原料液と前記第2の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第1の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第2の原料液は、ABO系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第1の原料液が含む溶媒と第2の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第1の原料液と前記第2の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第1の原料液からなる第1の結晶が断続して形成され、前記第2の原料液からなる第2の結晶が前記第1の結晶相互間に介在するように形成される。
請求項（抜粋）：
第1の結晶層および第2の結晶層が順次積層された積層体を含む、セラミックス膜であって、
前記第2の結晶層は、前記第1の結晶層に比べて融点が低い、セラミックス膜。
IPC (8件)：
C30B29/22
, H01L27/105
, H01L41/08
, H01L41/083
, H01L41/18
, H01L41/187
, H01L41/22
, H01L41/24
C30B29/22 Z
, H01L27/10 444C
, H01L27/10 444B
, H01L41/08 S
, H01L41/08 Q
, H01L41/08 H
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
