特許
J-GLOBAL ID：200903018937191920
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130998
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】オン電流が低下しない接合の深さの浅いLDD拡散層を有するMOSトランジスタの形成方法を提供する。【構成】ゲート酸化膜30とゲート電極40とからなるゲート電極部45を形成し、全面にBSG膜52を堆積する。BSG膜52を拡散源としたランプアニールにより、接合の深さの浅いP型LDD拡散層62が形成される。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上に、ゲート絶縁膜とゲート電極とが積層してなるゲート電極部を形成する工程と、前記半導体基板の全面に逆導電型不純物を含んだ絶縁膜を形成し、逆導電型不純物を該半導体基板表面に熱拡散する工程と、前記ゲート電極部の少なくとも一方の側壁部に、前記逆導電型不純物を含む絶縁膜からなる絶縁膜スペーサを形成する工程と、前記ゲート電極および前記絶縁膜スペーサをマスクにして、前記半導体基板表面に高濃度の逆導電型不純物をイオン注入する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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