特許
J-GLOBAL ID：200903018946065562
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353591
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186292
出願日： 1995年12月29日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 面積を大きくすることなく、プロセスの変動による容量比精度の低下が小さいコンデンサを形成する。【解決手段】 各コンデンサに、電極61、62とほぼ同じ高さの、共通の周辺パターン71、72を形成する。
請求項（抜粋）：
モノリシック上に、同一形状の平行平板コンデンサが複数個形成され、該コンデンサの容量比を利用する回路を含む半導体装置において、各コンデンサの周辺に、電極とほぼ同じ高さの、共通の周辺パターンを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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