特許

J-GLOBAL ID：200903018947716478

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260680
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備する。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。