特許

J-GLOBAL ID：200903018947716478

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260680
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型InXGa1-XN(但し、Xは0 請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型InXGa1-XN(但し、Xは0