特許

J-GLOBAL ID：200903018950021871

トレンチ分離構造を有するシリコンウェ-ハの製造方法

発明者： 森田 悦郎 ,  川合 幸夫 ,  酒井 慎介 ,  藤元 克祐 ,  小松 圭
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153543
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ分離構造のシリコンウェーハの製造工程数を削減する。二酸化シリコン膜の化学的機械研磨での終点を明確にし正確な研磨を行う。二酸化シリコン膜およびウェーハ表面のディッシングを防止する。【解決手段】 シリコンウェーハ表面にトレンチを形成し、二酸化シリコン膜でトレンチを埋めるながらウェーハ表面をSiO2膜で被覆する。次に、酸化セリウムを含む研磨剤で化学的機械研磨を施し、SiO2膜表面を平坦にする。さらに、シリコン表面が現れるまでヒュームドシリカを含む研磨剤でSiO2膜を研磨する。疎水性のシリコン表面が露出すると、研磨を終了する。次に、アミンの入ったシリコン研磨剤で仕上げ研磨を施す。ディッシングが生じず平坦なシリコン表面と、角が丸みを帯びた二酸化シリコンの分離部分とが形成されたシリコンウェーハを得ることができる。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハの表面にトレンチを形成し、このトレンチに絶縁膜を埋設したトレンチ分離構造を有するシリコンウェーハの製造方法であって、このシリコンウェーハの表面にトレンチを形成する工程と、このシリコンウェーハの表面を絶縁膜で被覆する工程と、この絶縁膜で被覆した後、この絶縁膜の表面を平坦化する工程と、このシリコンウェーハの表面が露出するまで絶縁膜表面を研磨する工程と、この絶縁膜の表面および露出したシリコンウェーハの表面を仕上げ研磨する工程と、を備えたトレンチ分離構造を有するシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/304 321 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• トレンチ素子分離領域の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-346572   出願人：ソニー株式会社