特許

J-GLOBAL ID：200903018950650607

厚膜抵抗体組成物及びこれを用いた厚膜抵抗体とその形成方法

発明者： 森 圭介
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343602
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 高い抵抗値を示し、かつ抵抗値のバラツキが小さい厚膜抵抗体を与え、しかも、ガラス基板にも適用可能な低い焼成温度を有する厚膜抵抗体組成物、及びこれを用いた厚膜抵抗体とその形成方法の提供。【解決手段】 非導電性ガラス粉末(A)と導電性粉末(B)と有機ビヒクル(C)とを含有する厚膜抵抗体組成物において、(A)成分が、酸化物換算で、2〜72重量%のPbO、5〜30重量%のB2O3及び3〜35重量%のSiO2を含有し、(B)成分が、酸化インジウム-酸化錫粉末からなり、さらに、(A)成分と(B)成分とが、前者が95〜65重量%に対して後者が5〜35重量%の割合で配合されていることを特徴とする厚膜抵抗体組成物により提供。

請求項（抜粋）：

非導電性ガラス粉末(A)と導電性粉末(B)と有機ビヒクル(C)とを含有する厚膜抵抗体組成物において、(A)成分が、酸化物換算で、2〜72重量%のPbO、5〜30重量%のB2O3及び3〜35重量%のSiO2を含有し、(B)成分が、酸化インジウム-酸化錫粉末からなり、さらに、(A)成分と(B)成分とが、前者が95〜65重量%に対して後者が5〜35重量%の割合で配合されていることを特徴とする厚膜抵抗体組成物。

IPC (3件)：

H01C 7/00 ,  H01B 1/20 ,  H01C 17/06

FI (3件)：

H01C 7/00 K ,  H01B 1/20 C ,  H01C 17/06 G

Fターム (12件)：

5E032BA07 ,  5E032BA15 ,  5E032BA18 ,  5E032BB01 ,  5E032CC06 ,  5E033AA03 ,  5E033AA06 ,  5E033AA07 ,  5E033BA01 ,  5G301AA27 ,  5G301AB20 ,  5G301AD08