特許
J-GLOBAL ID：200903018953978875
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-139229
公開番号（公開出願番号）：特開平5-333951
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】本発明は、無駄な消費電力が少なく、外部電源電位から所望の内部電源電位を生成できる半導体集積回路装置を提供すること。【構成】高電位電源V<SB>cc</SB>に選択的に接続され、下部内部電源電位V<SB>intL</SB>を生成する下部内部降圧器3と、高電源電位V<SB>cc</SB>と下部内部電源電位V<SB>intL</SB>との間の電位で動作する下部内部回路1と、低電位電源V<SB>ss</SB>及び上部内部回路1に選択的に接続され、上部内部電源電位V<SB>intU</SB>を生成する上内部降圧器4と、低電源電位V<SB>ss</SB>と上内部電源電位V<SB>intU</SB>との間の電位で動作する上部内部回路2とを有し、V<SB>ss</SB><V<SB>intL</SB>≦V<SB>cc</SB>,V<SB>ss</SB>≦上V<SB>intU</SB><V<SB>cc</SB>の関係を満し、上部内部降圧器4及び上部内部回路2での消費電流と、下部内部降圧器3及び下部内部降圧器1での消費電流とが同様な時間変化を示すことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
直列接続された第1の内部回路と第1の内部降圧回路とからなる第1の回路と、この第1の回路に選択的に接続され、前記第1の回路の消費電力の時間変化と同様な消費電力の時間変化を示す、直列接続された第2の内部回路と第2の内部降圧回路とからなる第2の回路とを具備してなり、前記第1の回路が前記第2の回路から切り離されているときには、前記第1の回路及び前記第2の回路は、外部高電源電位と外部低電源電位との間で、並列接続され、前記第1の回路が前記第2の回路に接続されているときには、前記第1の回路及び前記第2の回路は、外部高電源電位と外部低電源電位との間で、直列接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
G05F 1/56 310
, G05F 1/56
