特許

J-GLOBAL ID：200903018959621715

マスクデータ作成方法及びマスク製造方法並びに半導体装置の製造方法

発明者： 関 浩
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-200949
公開番号（公開出願番号）：特開2003-015271
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】 任意のレイヤーの所定の箇所において、光学近接効果補正パターンが自動発生されたか否かを簡単に確認することができるマスクデータ作成方法等を提供する。【解決手段】 所定の値以下の幅を有するパターンに対して、光学近接効果を補正するための補正パターンを自動発生させる補正パターン発生領域を設定するステップ(a)と、補正パターンの自動発生を禁止する補正パターン禁止領域を設定するステップ(b)と、補正パターン発生領域及び禁止領域内において所定の値以下の幅を有する補正確認パターンのデータを入力するステップ(c)と、半導体装置のレイヤーを形成するパターンのデータを入力するステップ(d)と、補正パターンを自動発生させるステップ(e)とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造において露光の際に用いるマスクのデータをコンピュータを用いて作成する方法であって、所定の値以下の幅を有するパターンに対して、与えられた条件に基づいて光学近接効果を補正するための補正パターンを自動発生させる補正パターン発生領域を設定するステップ(a)と、前記補正パターンの自動発生を禁止する補正パターン禁止領域を設定するステップ(b)と、補正パターン発生領域内において前記所定の値以下の幅を有する第1の補正確認パターンのデータと、補正パターン禁止領域内において前記所定の値以下の幅を有する第2の補正確認パターンのデータとを入力するステップ(c)と、前記半導体装置のレイヤーを形成するパターンのデータを入力するステップ(d)と、補正パターン発生領域内であって補正パターン禁止領域外の部分において、前記所定の値以下の幅を有するパターンに対して補正パターンを自動発生させるステップ(e)と、を具備するマスクデータ作成方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G06F 17/50 658 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  G06F 17/50 658 M ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BB01 ,  5B046AA08 ,  5B046BA06