特許

J-GLOBAL ID：200903018959698874

配線形成方法

発明者： ベルガセム ハバ ,  森重 幸雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020047
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231158
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 選択メッキ用の該形成層の形成の再現性が著しく向上し、プロセスの歩留まりを向上できる。安価なプロセス装置の使用が可能で、製造コストを低く抑えることができるテフロン(登録商標)フィルムのパターン配線形成法を提供すること。【構成】 ?@テフロンフィルム1にアルゴンイオンスパッタを行いテフロンフィルム1の表面に活性化処理部2を形成する工程、?A300オングストローム厚のPdをメッキ活性化処理膜3として、スパッタ法により形成する工程、?Bレーザ光を所望の配線パターンの周囲に照射して、レーザ光照射部のメッキ活性化処理膜3を蒸散除去する工程、?C無電界銅メッキ液に基板を浸析して、残っているメッキ活性化処理膜3上にのみ、選択的に銅をメッキする工程からなる。

請求項（抜粋）：

テフロンフィルムへの配線パターンの形成法において、基板表面を活性化後、レーザ光の吸収層となり、かつ、メッキ活性を持つメッキ活性化処理膜を形成する工程と、レーザ光を所望の配線パターンの周囲に照射して、メッキ活性化処理膜を蒸散させる工程と、無電界メッキによる選択メッキを行なう工程を順次行なうことを特徴とする配線形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-263490
  
• 特開平2-188987
  
• 特開平2-094592