特許

J-GLOBAL ID：200903018961624845

アクティブマトリックス基板の製造方法

発明者： 田中 聖也 ,  岩目地 和明 ,  村上 茂樹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175500
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【構成】 ソース・ドレイン電極となる第二の導電層16上に、画素電極となる透明導電層17を形成し、この透明導電層17を、第二の導電層16上面とその周辺部、および走査信号配線12の取り出し部3が残るようにエッチング除去する。【効果】 フォトマスクは四枚で済み、量産性が向上するとともに製造歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

(a)基板上に走査信号配線とゲート電極となる第一の導電層を形成して所定形状にパターニングし、(b)前記第一の導電層上にゲート絶縁膜となる絶縁層、チャネルとなる第一の半導体層、オーミックコンタクト層となる第二の半導体層、ソース・ドレイン電極と画像信号配線となる第二の導電層を順次積層し、(c)前記第二の導電層、第二の半導体層、第一の半導体層、および絶縁層を前記ゲート電極の周辺部が残るようにエッチング除去し、(d)次いで、画素電極となる透明導電層を形成し、(e)この透明導電層を、前記第二の導電層上面とその周辺部、および前記走査信号配線の取り出し部が残るようにエッチング除去し、(f)次いで、パシベーション層を形成して所定部分をエッチング除去する工程を含んで成るアクティブマトリックス基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-131578
  
• 特開平3-087035
  
• 特開平1-137239