特許

J-GLOBAL ID：200903018965911490

分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 猪口 和彦 ,  瀧口 治久 ,  種谷 元隆 ,  中西 千登勢 ,  菅原 聰 ,  工藤 裕章
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283805
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 ストライプ溝の全域にわたって均一な回折格子を形成し、発振される光の縦モードを制御する構造と横モードを制御する構造とを有する分布帰還型半導体レーザ素子を、非常に歩留りよく製造し得る方法を提供する。【構成】 第1の結晶成長工程により、半導体基板10上に、第1クラッド層11、活性層12、光導波路層14を順次形成する。光導波路層14の表面上に回折格子21を形成する。第2の結晶成長工程により、回折格子21の形成された光導波路層14上に、電流阻止層17を形成する。電流阻止層17を回折格子21が露出されるように選択的にエッチングして、ストライプ溝を形成する。第3の結晶成長工程により、ストライプ溝内部を含めた電流阻止層17上に第2クラッド層19を形成する。

請求項（抜粋）：

単一縦モードで発振する構造と基本横モードで発振する構造とを有する分布帰還型半導体レーザ素子を製造する方法であって、第1導電型の半導体基板の上に第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の光導波路層とからなる積層構造を形成する第1の結晶成長工程と、該光導波路層の表面に回折格子を形成する工程と、該回折格子が形成された該光導波路層の上に第1導電型の電流阻止層を形成する第2の結晶成長工程と、該電流阻止層を該回折格子が露出されるように選択的にエッチングして、ストライプ溝を形成する工程と、該ストライプ溝の内部の回折格子上および電流阻止層の上に第2導電型の第2クラッド層を形成する第3の結晶成長工程とを包含する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-073683
  
• 特開平2-206191
  
• 特開平2-186689
  
• 特開平2-178985