特許

J-GLOBAL ID：200903018966919231

不揮発性メモリ装置

発明者： 朴 鍾旻 ,  朴 東鎬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171498
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031306
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリアのためのバルク電圧の増加を防ぐための半導体装置を提供することである。【解決手段】 本発明の不揮発性メモリ装置は、複数のセルを有するメモリセルアレー、複数のダミービットラインと、複数のダミーワードラインと、ダミービットラインにバルク電圧を印加するためのバルクタッピングを含み、ダミービットラインは、P+が注入される。

請求項（抜粋）：

複数のメーンワードラインと複数のメーンビットラインのマトリックス形態で配列されて複数のセルを有するメモリセルアレーと、前記メモリセルアレー周辺に列方向に配列される複数のダミービットラインと、前記メモリセルアレー周辺に行方向に配列される複数のダミーワードラインと、前記ダミービットラインにバルク電圧を印加するためのバルクタッピングを含み、前記ダミービットラインは、P型不純物が注入されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434