特許
J-GLOBAL ID：200903018968486367
太陽電池
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023114
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 発電性能を向上する。【構成】 n型結晶シリコン基板1の表面に非ドープ非結晶質シリコン層2、ボロンによるp型ドーパント層3、ボロンドープp型非結晶質シリコン層4、ボロンによるp型ドーパント層5、ボロンドープp型非結晶質シリコン層6、ボロンによるp型ドーパント層7を形成し、n型結晶シリコン基板1の裏面にリンによるn型ドーパント層8、リンドープn型微結晶シリコン層9、リンによるn型ドーパント層10、リンドープn型微結晶シリコン層11、リンによるn型ドーパント層12を形成し、透明導電膜13および金属グリッド電極14を光入射側の電極として形成し、金属裏面電極15を形成する。
請求項（抜粋）：
一導電型の結晶性半導体基板の少なくとも一表面に堆積半導体薄膜を形成して半導体接合を形成してなるヘテロ接合太陽電池において、上記堆積半導体薄膜中のドーパントの濃度が成長方向に不均一であり、少なくとも一つのドーパント濃度ピークが存在することを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 L
, H01L 31/04 N
