高耐圧モストランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221556
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172191
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【課題】低濃度、中濃度及び高濃度不純物層が相互重畳されるように形成された構造のドレインを有する高内圧用モストランジスタを提供する。【解決手段】半導体基板、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、ゲート電極の少なくともいずれか一側に半導体基板に低濃度、中濃度及び高濃度不純物層が相互重畳されるように形成された不純物拡散層とを含め、高動作電圧を有するトランジスタを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の少なくともいずれか一側の半導体基板に低濃度、中濃度及び高濃度不純物層とが相互重畳されるように形成された不純物拡散層とを含むことを特徴とする高耐圧用モストランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-094667
特開平1-138759
特開平1-094667

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