半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110445
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357799
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリクス型の表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電極とゲート配線を提供することを第1の課題とする。【解決手段】表示領域に画素TFTを設けた半導体装置において、前記画素TFTのゲート電極131を第1の導電層で形成し、前記ゲート電極131は第2の導電層で形成されるゲート配線148と接続部で電気的に接触し、前記接続部は前記画素TFTの半導体層107の外側に設ける。

請求項（抜粋）：

表示領域に設けた画素TFTと、該表示領域の周辺に設けた駆動回路のTFTとを同一の基板上に有する半導体装置において、前記画素TFTと前記駆動回路のTFTとは、第1の導電層で形成されるゲート電極を有し、前記ゲート電極は、第2の導電層で形成されるゲート配線と接続部で電気的に接触し、前記接続部は、前記画素TFTと前記駆動回路のTFTとが有するチャネル形成領域の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 , G09F 9/30 338 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/43

FI (9件)：

H01L 29/78 612 C , G09F 9/00 348 C , G09F 9/30 338 , H01L 21/28 301 R , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 R , H01L 29/62 G , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 617 L

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