特許

J-GLOBAL ID：200903018972366864

蓄積容量の形成方法

発明者： 日数谷 健一 ,  齋藤 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274395
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114711
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 蓄積容量の形成方法に関し,耐圧が高く容量の大きいメモリセル蓄積容量の形成方法を目的とする。【構成】 半導体基板1上に形成された絶縁層5に拡散領域2を露出する開孔を形成し, 次いで,全面に第1の導電膜とスペーサ膜7をこの順に堆積した後,マスクを用いてスペーサ膜7を等方的に選択エッチングしマスクの下面を一部露出させ,次いで,そのマスクをマスクにして第1の導電膜を異方的にエッチングし下部電極を形成し,次いで,そのマスクを除去した後スペーサ膜7をマスクにして下部電極の端部をエッチングして端部に丸みのついた下部電極6bを形成し, 次いで,スペーサ膜7を除去して全面に蓄積容量絶縁膜9と第2の導電膜10をこの順に堆積し, マスクを用いて第2の導電膜10と蓄積容量絶縁膜9をエッチングし,少なくとも端部に丸みのついた下部電極6b全面を覆う蓄積容量絶縁膜9と上部電極10a を形成する工程を有するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に形成された絶縁層(5) に拡散領域(2) を露出する開孔を形成し,次いで,全面に第1の導電膜(6) とスペーサ膜(7) をこの順に堆積した後,マスク(8) を用いて該スペーサ膜(7) を等方的に選択エッチングし該マスク(8) の下面を一部露出させ,次いで,該マスク(8) をマスクにして該第1の導電膜(6) を異方的にエッチングし下部電極(6a)を形成し,次いで,該マスク(8) を除去した後該スペーサ膜(7) をマスクにして該下部電極(6a)の端部をエッチングして端部に丸みのついた下部電極(6b)を形成し,次いで,該スペーサ膜(7) を除去して全面に蓄積容量絶縁膜(9) と第2の導電膜(10)をこの順に堆積し, マスクを用いて該第2の導電膜(10)と該蓄積容量絶縁膜(9) をエッチングし,少なくとも該端部に丸みのついた下部電極(6b)全面を覆う蓄積容量絶縁膜(9) と上部電極(10a) を形成する工程を有し,該端部に丸みのついた下部電極(6b)と該蓄積容量絶縁膜(9) と該上部電極(10a) からなる蓄積容量を形成することを特徴とする蓄積容量の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-019268
  
• 特開昭59-165437
  
• 特開昭63-177523