特許
J-GLOBAL ID：200903018977743712
複合素子および貼り合わせ基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035126
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245382
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】高耐圧素子と高速素子とを含む複合素子を1枚のSOI貼り合わせ基板に形成可能にする。【構成】SOI基板の支持基板との間の絶縁膜の厚さを均一にしないで、高耐圧素子の下の高い電圧の印加される絶縁膜の部分を厚くする。そのようなSOI貼り合わせ基板は、支持用半導体基板の表面に凹部を加工し、その凹部を埋める酸化膜の表面に活性化水素を接触させて水素基を結合し、素子用半導体基板表面の水酸基を結合した酸化膜と重ね合わせ、熱処理して接着することにより製造する。
請求項（抜粋）：
同一支持基板と絶縁膜によって絶縁された半導体基板に形成される高耐圧素子と高速素子とを含むものにおいて、絶縁膜の厚さが均一でなく、高耐圧素子の形成される半導体基板と支持基板との間の絶縁膜が印加電圧が高くなる部分で厚くされたことを特徴とする複合素子。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 29/861
