特許

J-GLOBAL ID：200903018977993913

反射防止膜、被処理基板、被処理基板の製造方法、微細パターンの製造方法、および半導体装置の製造方法

発明者： 山角 直也 ,  高田 寿雄
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187922
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031650
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 反射防止膜を膜厚依存の反射型ではなく、消衰係数依存の吸収型構造とすることによって、単層膜でありながら、厳密な膜厚コントロールを必要とせずに、下地基板に微細パターンが形成できるようにする。【解決手段】 SiOx Ny からなる反射防止膜3を下地基板上に成膜する際、SiH4 に対するN2 Oの流量比を、成膜開始時から成膜終了時に向けて徐々に増加させていく。これを1回の成膜プロセスで行ない、形成された単層膜中の深度方向にSi原子の濃度勾配を作り、消衰係数kが膜表面3aから下地基板との界面となる膜裏面3bに向けて連続的に大きくなる勾配をもたせる。膜中にk値勾配をもたせることにより、入射光Lは膜中で徐々に吸収・反射を繰り返して減衰していき、下地基板表面に到達する前に吸収される。

請求項（抜粋）：

単層膜から形成され、かつ単層膜の深度方向に消衰係数が増加している反射防止膜。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/30 574 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/302 H