特許
J-GLOBAL ID：200903018981290935
アモルフアスシリコン膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190134
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036608
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 430°C以下の低温で安全かつ低コストにてアモルファスシリコン膜形成を行なう。【構成】 ジシランあるいは稀釈したジシランを流通反応室中にて、270〜430°Cで加熱した後、膜形成室にて350〜430°Cで熱分解させる。
請求項（抜粋）：
ジシランあるいは稀釈したジシランを流通反応室中にて、270°C〜430°Cの加熱温度で流通加熱した後、膜形成室に導入して、350°C〜430°Cの温度で熱分解により基板上に堆積させることを特徴とするアモルファスシリコン膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 31/04
