特許

J-GLOBAL ID：200903018985476480

潜像形成方法及び潜像形成装置

発明者： 桃谷 桂子 ,  木戸場 歌子 ,  笹井 浩介 ,  越智 圭三
出願人/特許権者： ミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199992
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 高速、高解像度の印字が可能であり、像担持体の磨耗劣化を低減して耐久性を高めることができる簡易な潜像形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも強誘電体層10を備える像担持体1に電圧を印加して一方向に自発分極させる。自発分極した像担持体1に選択的に光17を照射して光励起により電荷を発生させ、分極により像担持体1の表面側に移動した電荷のパターンにより潜像を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも電極層上に強誘電体層を備える像担持体に電圧を印加して一方向に自発分極させ、該自発分極した像担持体に選択的に光を照射して光励起により電荷を発生させ、該電荷を分極方向に移動させて像担持体の表面側に電荷の潜像を形成し、該潜像を形成する電荷を上記電極層側に移動させて潜像を消去することを特徴とする潜像形成方法。

Fターム (2件)：

2H029DA00 ,  2H029DB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-178570   出願人：株式会社かぶき