半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192338
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093920
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体層を利用して、高い耐圧とキャリア走行特性とを有するの能動素子を複数個共通の基板上に搭載する。【解決手段】 SiC基板10には、高濃度のn型ドープ層12aと、アンドープ12bとを交互に積層してなる第1の活性領域12と、高濃度のp型ドープ層13aとアンドープ層13bとを交互に積層してなる第2の活性領域13とが下方から順に設けられている。第1の活性領域12の上には、ショットキーダイオード20と、pMOSFET30が設けられ、第2の活性領域13の上には、nMOSFET40と、キャパシタ50と、インダクタ60とが設けられている。ショットキーダイオード20やMOSFET30,40は、δドープ層とアンドープ層との積層構造により、耐圧特性とキャリア走行特性とを有し、かつ、共通の基板上に集積化されている。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた化合物半導体層と、上記化合物半導体層の上に設けられ、キャリア走行領域として機能する少なくとも1つの第1の半導体層と、高濃度のキャリア用不純物を含み上記第1の半導体層よりも膜厚が薄く量子効果によるキャリアの分布が可能な少なくとも1つの第2の半導体層とを交互に積層して構成される活性領域と、上記活性領域の上に設けられた複数の能動素子とを備えていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (9件)：

H01L 21/8234 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 29/872 , H05B 41/24

FI (8件)：

H05B 41/24 L , H01L 27/08 102 A , H01L 27/08 321 B , H01L 27/04 L , H01L 27/04 U , H01L 29/78 301 B , H01L 29/48 F , H01L 29/48 H

Fターム (64件)：

3K072AC11 , 3K072BA03 , 3K072BB01 , 3K072BC01 , 3K072BC03 , 3K072GA02 , 3K072GB12 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 4M104GG13 , 5F038AZ04 , 5F038DF11 , 5F038EZ02 , 5F038EZ20 , 5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA03 , 5F048BA07 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA19 , 5F048BB09 , 5F048BD09 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BG14 , 5F140AA01 , 5F140AA25 , 5F140AA29 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB06 , 5F140AB09 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF06 , 5F140BH21 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ06 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03

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