特許

J-GLOBAL ID：200903018988440045

ダイアモンドのエッチング方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159729
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031798
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 ダイアモンド半導体層の上に形成されたダイアモンド絶縁体層をエッチングするに際し、下層のダイアモンド半導体層に対する選択比を充分に高くしてダイアモンド絶縁体層のみをエッチングする。【構成】 ダイアモンド半導体層102の上に形成されたダイアモンド絶縁体層103をエッチングするにあたり、下層のダイアモンド半導体層102にはあらかじめn型ドーパントとして窒素をドーピングしておき、エッチング時には少なくとも分子内に硫黄を多く含むガスを用いる。硫黄の堆積と除去が同時に起きながらダイアモンド絶縁体層103のエッチングが進み、下層のダイアモンド半導体層102が現れると、ドーピングされている窒素の作用により硫黄の堆積膜105が強固なものとなり、堆積膜105が除去されずに保護膜として残る。

請求項（抜粋）：

ダイアモンド半導体層の上に形成されたダイアモンド絶縁体層をエッチングする方法であって、下層の前記ダイアモンド半導体層にはあらかじめn型ドーパントとして窒素をドーピングしておき、エッチング時には少なくとも分子内に硫黄を多く含むガスを用いることを特徴とするダイアモンドのエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 301 F