特許
J-GLOBAL ID：200903018988739555
ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008162
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199450
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ダイシング工程での時間ロスをなくし、ダイシング工程に要する時間を短縮することができるウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置を得る。【解決手段】 ウエハ1上の半導体素子2をカットライン3から個々に分割するダイシング方法において、ウエハ作製後の特性検査で良品とされた半導体素子5を分割するのに必要なカットライン6のみをダイシングするウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び不良マーク4を検出して良品とされた半導体素子5の位置を認識する認識装置8あるいは特性検査データを読み込んで良品とされた半導体素子の位置を認識する読み込み装置9を設け、これらの装置8、9で認識された良品とされた半導体素子5を分割するのに必要なカットライン6のみをダイシングする機能を備えたウエハ上の半導体素子ダイシング装置。
請求項（抜粋）：
ウエハ上の半導体素子をカットラインから個々に分割するダイシング方法において、ウエハ作製後の特性検査で良品とされた半導体素子を分割するのに必要なカットラインのみをダイシングすることを特徴とするウエハ上の半導体素子ダイシング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 C
, H01L 21/66 A
