特許

J-GLOBAL ID：200903018989633165

透明導電膜付き基体とその製造方法

発明者： 高木 悟 ,  宮崎 正美 ,  佐藤 一夫 ,  河村 有紀
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241464
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】低比抵抗で、耐久性に優れ、微細電極加工性能に優れた透明導電膜付き基体の提供。【解決手段】基体1上に、基体側から、透明酸化物層2、4と、Agを含有する金属層3とがこの順に(2n+1)層(nは1以上の整数)積層されてなる透明導電膜において、透明酸化物層2、4は、ZnOとIn2 O3 とを含み、In2O3 の含有割合が、ZnOとIn2 O3 との総量に対して30モル%以上である透明導電膜付き基体。

請求項（抜粋）：

基体上に、基体側から、透明酸化物層と金属層とがこの順に(2n+1)層(nは1以上の整数)積層されてなる透明導電膜付き基体において、透明酸化物層は、ZnOとIn2 O3 とを含み、In2 O3 の含有割合が、ZnOとIn2 O3 との総量に対して30モル%以上であり、金属層は、Agを含有する金属層であることを特徴とする透明導電膜付き基体。

IPC (5件)：

H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343

FI (5件)：

H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 D ,  G02F 1/1343