特許

J-GLOBAL ID：200903018989965311

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 吉川 博志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308037
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150200
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 パルスレーザによって半導体薄膜をアニール処理する場合に、上記半導体薄膜に蓄積された熱エネルギーが絶縁性基板へ流出することを抑制し、効果的にアニール処理することができる、簡便で低コストな薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタにおいて、絶縁性基板1と無機絶縁膜3との間に耐熱性高分子膜2を形成することによって、パルスレーザを半導体薄膜に照射した場合の半導体薄膜に蓄積された熱エネルギーの流出を抑制し、効果的に結晶性半導体薄膜6の形成や結晶性半導体薄膜6に注入された不純物イオンの活性化を行う。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に耐熱性高分子膜を形成し、この耐熱性高分子膜の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上に半導体薄膜を形成し、この半導体薄膜にレーザを照射して該半導体薄膜を溶融し結晶化させることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 29/78 627 G