特許

J-GLOBAL ID：200903018991290356

半導体装置およびその製造方法

発明者： 門倉 昭三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353322
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 製造される半導体装置の抵抗値が所定の値から外れている場合に、抵抗値を調整し得る半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 抵抗素子として複数の不純物拡散層が接続された抵抗セルを有する半導体装置において、抵抗セルの一モデル例としての抵抗回路200は、不純物拡散層R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 が接続配線117を介して直列に接続されており、その中の不純物拡散層R4 、R5 にそれぞれ電界効果トランジスタTr1 、Tr2 が並列に接続されている。電界効果トランジスタの導通抵抗は不純物拡散層の抵抗と比較して遥かに小さいので、抵抗回路200の抵抗RはR = R1 +R2 +R3 +R6で示されるが、電界効果トランジスタTr1 にイオン注入して閾値電圧を上昇させ実質的に導通を遮断した抵抗回路200’の抵抗R’は、R’=R1 +R2 +R3 +R4 +R6となる。

請求項（抜粋）：

抵抗素子として複数の不純物拡散層が接続された抵抗セルを有する半導体装置において、前記不純物拡散層が接続配線を介して直列、または直列と並列とが混在した状態で接続されており、かつ、直列に接続された前記不純物拡散層には任意の前記不純物拡散層と並列に電界効果トランジスタが接続され、並列に接続された前記不純物拡散層には前記不純物拡散層を接続する任意の前記接続配線の中間位置に前記電界効果トランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/04 V ,  H01L 27/04 R

Fターム (11件)：

5F038AR01 ,  5F038AR16 ,  5F038AR21 ,  5F038AV06 ,  5F038AV12 ,  5F038AV15 ,  5F038AV17 ,  5F038DF05 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20