特許
J-GLOBAL ID：200903018992895863
半導体膜の評価方法、評価装置及び形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037342
公開番号（公開出願番号）：特開平10-300662
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体膜のインラインモニターを可能とし、半導体装置製造の歩留まりを向上し、コストを削減する。【解決手段】 レーザーアニールにより結晶化したp-Si膜の反射率を測定して波長依存関係を調べ、更に、この1次変化率を調べて波長500nm付近の極小値を決定する。この値をその時のレーザーパワーに固有の光学的値とし、また、セコエッチ等で調べたグレインサイズを関係づける。こうして光学的値とグレインサイズの関係を多数調べて、光学的値とグレインサイズとのリニアの関係を構築しておく。インライン時に、p-Si膜の反射率の光学的値を測定することでこれに対応する形でグレインサイズが割り出される。
請求項（抜粋）：
半導体膜の所定の波長域における光の反射率に基づいて半導体膜の結晶粒径を割り出すことを特徴とする半導体膜の評価方法。
IPC (5件)：
G01N 21/27
, G01B 11/08
, G01N 21/00
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
G01N 21/27 B
, G01B 11/08 Z
, G01N 21/00 B
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
