特許

J-GLOBAL ID：200903018994276087

無電解めっきニッケル層へのダイヤモンド膜蒸着法

発明者： パルク,ユング - イル ,  パルク,クワング - ジャ
出願人/特許権者： ナショナル インダストリアル テクノロジー インスチチュート
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-507953
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505879
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】ダイヤモンド膜の蒸着法を開示する。本方法は、還元剤を含有する無電解ニッケルめっき浴中に金属材料又は非金属材料を浸漬して、ニッケル層を形成し、次いで、前記無電解めっき済み材料の上にダイヤモンド膜を蒸着させる、連続工程から成る。本発明によって提供される方法によると、無電解めっきを使用して中間層を形成し、密着性を顕著に改善することができる。更に、材料の種類に関係なく、ダイヤモンド膜を形成し得る。

請求項（抜粋）：

還元剤を含有する無電解ニッケルめっき浴中に金属材料又は非金属材料を浸漬して、ニッケル層を形成し、次いで、 前記無電解めっき済み材料の上にダイヤモンド膜を蒸着させる、連続工程から成る、ダイヤモンド膜の蒸着法。

IPC (3件)：

C23C 28/00 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04

FI (4件)：

C23C 28/00 B ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 A ,  C30B 29/04 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-129604
  
• 磁気記録ディスクメディア
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-186890   出願人：セイコーエプソン株式会社