特許

J-GLOBAL ID：200903018999896660

ガス検出素子の製造法

発明者： 金森 正晃
出願人/特許権者： エヌオーケー株式会社
代理人 (1件)： 吉田 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-213853
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 絶縁性基板上に一組の電極およびn型の金属酸化物半導体薄膜を任意の順序で設け、半導体薄膜をガス感応体したガス検出素子であって、ガス感応体の素子抵抗の経時的な安定性を高めたものの製造法を提供する。【構成】 絶縁性基板上に一組の電極およびn型の金属酸化物半導体薄膜を任意の順序で形成させたガス検出素子において、n型金属酸化物半導体薄膜を、水蒸気を含有する空気流中で、350°C以上の温度で高温処理して、ガス検出素子を製造する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に一組の電極およびn型の金属酸化物半導体薄膜を任意の順序で形成させたガス検出素子において、n型金属酸化物半導体薄膜を、水蒸気を含有する空気流中で、350°C以上の温度で高温処理することを特徴とするガス検出素子の製造法。