特許

J-GLOBAL ID：200903019002144962

荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法

発明者： 片倉 則浩
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124090
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 プロセス中におけるシリコン活性層の破壊を抑えることができる荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン支持基板、酸化シリコン層及びシリコン活性層からなるSOI基板を準備する工程と、 前記シリコン活性層上に応力補正層を形成する工程と、 前記シリコン支持基板上に、支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられたエッチング用マスクを形成する工程と、 前記エッチング用マスクをマスクとして前記シリコン支持基板をエッチングすることにより支柱を形成する工程と、 前記エッチング用マスクをマスクとして前記酸化シリコン層をエッチングする工程と、 前記応力補正層を除去する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法とした。

請求項（抜粋）：

シリコンメンブレンとそれを支持する支柱を有するシリコン支持基板からなる荷電粒子線露光用レチクルブランクを製造する方法であって、シリコン支持基板、酸化シリコン層及びシリコン活性層からなるSOI基板を準備する工程と、前記シリコン活性層上に応力補正層を形成する工程と、前記シリコン支持基板上に、支柱形成位置に対応する位置にパターンが設けられたエッチング用マスクを形成する工程と、前記エッチング用マスクをマスクとして前記シリコン支持基板をエッチングすることにより支柱を形成する工程と、前記エッチング用マスクをマスクとして前記酸化シリコン層をエッチングする工程と、前記応力補正層を除去する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 1/16

FI (4件)：

G03F 1/14 A ,  G03F 1/16 B ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (12件)：

2H095BA01 ,  2H095BA09 ,  2H095BB27 ,  2H095BB37 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  5F046GD04 ,  5F046GD05 ,  5F046GD10 ,  5F046GD15 ,  5F056AA22 ,  5F056FA05