特許
J-GLOBAL ID：200903019006471194
荷電ビーム描画方法及び描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267143
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 ビーム成形用アパーチャマスク上に形成するCPセルのビーム通過孔の大きさの制限をなくし、且つビーム成形用アパーチャマスクの所望位置にビームを制御する際のビーム偏向量を抑制することができ、描画速度の高速化と描画精度の向上をはかり得る荷電ビーム描画方法を提供することにある。【構成】 第1のビーム成形用アパーチャマスク35に形成された矩形状のビーム通過孔35aと、第2のビーム成形用アパーチャマスク36に形成された矩形状のビーム通過孔36a,36b又は繰り返しパターン部の単位パターン形状に相当するビーム通過孔36c,36dとの、光学的重なりにより得たビームを用いて所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、繰り返しパターンを描画する際に、ビーム通過孔35aを通過したビームを、ビーム通過孔36c又は36dに選択的に投影し、単位パターン形状の一部に相当するビームを生成すること。
請求項（抜粋）：
矩形状のビーム通過孔が形成された第1のビーム成形用アパーチャマスクと、矩形を初めとする基本図形発生用のアパーチャとメモリーデバイスに代表される繰り返しパターン部の単位パターン形状を含む繰り返しパターン発生用ビーム通過孔が形成された第2のビーム成形用アパーチャマスクと、第1のビーム成形用アパーチャマスクを通過したビームを、第2のビーム成形用アパーチャマスク上で偏向するビーム成形用偏向器とを備え、第1及び第2のビーム成形用アパーチャマスクの各ビーム通過孔の光学的重なりにより形成されたビームの組み合わせにより試料面上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、前記ビーム成形用偏向器は、第1のビーム成形用アパーチャマスクを通過したビームを、第2のビーム成形用アパーチャマスクの基本図形発生用ビーム通過孔に投影して基本ビームを発生する第1のモードと、第1のビーム成形用アパーチャマスクを通過したビームを、第2のビーム成形用アパーチャマスクの繰り返しパターン発生用ビーム通過孔の一部に投影し、前記単位パターン形状の一部に相当するビームを発生する第2のモードとを有することを特徴とする荷電ビーム描画装置。
引用特許：
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