特許
J-GLOBAL ID：200903019006502251
半導体光増幅器並びにその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309044
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145192
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ストライプ状の活性層を含む半導体層構造のメサの両側端が階段状に形成された斜め光導波路構造を有する進行波型半導体光増幅器の活性層幅の制御が容易に行なえる製造方法を提供する。【構成】 メサ上面のSiO2 ストライプマスク6を用いてサイドエッチング階段状の斜め光導波路構造を製造する際、SiO2 ストライプの両側端が[011]方向と[01▲バー▼1]方向を交互に繰返す階段状に形成されたものを用いる。これによりSiO2 マスク6の側端が[011]方向になっている部分ではブロム-メタノールエッチングした際、[111]A面が露出して逆メサ形状になり、[01▲バー▼1]方向になっている部分では[111]A面が露出して順メサ形状になりいずれも[111]A面が露出してくるのでサイドエッチングがかかりにくくSiO2 マスク幅と[111]A面の結晶の角度によって活性層幅が決ってくる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、入射された光の強度を増幅して出射するストライプ状の活性層を含む半導体層構造のメサを形成して成る進行波型半導体光増幅器において、前記ストライプ状の活性層を含むメサの両側端が階段状の斜め導波路で形成されていることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (2件)：
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