シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175601
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363286
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁として、2.2以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ吸湿の少ないシリカ膜を得る。【解決手段】 (A)シロキサン化合物ならびに(B)界面活性剤を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

(A)シロキサン化合物ならびに(B)界面活性剤を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

IPC (12件)：

C08G 77/06 , B05D 3/02 , B05D 3/10 , B05D 3/12 , B29C 41/02 , C08G 77/48 , C09D 5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (12件)：

C08G 77/06 , B05D 3/02 Z , B05D 3/10 H , B05D 3/12 A , B29C 41/02 , C08G 77/48 , C09D 5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (48件)：

4D075BB32Z , 4D075BB56Z , 4D075BB68Z , 4D075CA23 , 4D075DA06 , 4D075DB13 , 4D075DC22 , 4D075EA05 , 4D075EB01 , 4F205AA33 , 4F205AB10 , 4F205AG03 , 4F205AH33 , 4F205GA05 , 4F205GB01 , 4F205GB11 , 4J035BA03 , 4J035CA162 , 4J035HA01 , 4J035HA06 , 4J035LB20 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL051 , 4J038DL071 , 4J038DL081 , 4J038DL111 , 4J038HA166 , 4J038HA446 , 4J038KA04 , 4J038KA09 , 4J038NA04 , 4J038NA17 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 4J038PB11 , 4J038PC03 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

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