特許
J-GLOBAL ID：200903019007246526

半導体発光素子の製造方法、集積型半導体発光装置の製造方法、画像表示装置の製造方法および照明装置の製造方法

発明者：
奥山 浩之

奥山 浩之 について

, 
琵琶 剛志

琵琶 剛志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-380937
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186257
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】 C面GaN系III-V族化合物半導体特有のピエゾ電界を解消し、発光効率の向上を図ることができるとともに、発光波長のシフトを防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板11上に面方位がC面と異なる第1のGaN系III-V族化合物半導体層12を成長させ、これをストライプ形状にパターニングする。この第1のGaN系III-V族化合物半導体層12をシードとし、50kPa以下の条件で面方位がA面の第2のGaN系III-V族化合物半導体層13を横方向成長させ、その上に成長原料のV/III比が1000よりも高い条件で面方位がA面の第1導電型の第3のGaN系III-V族化合物半導体層14を成長させる。その上に活性層15および第2導電型の第4のGaN系III-V族化合物半導体層16を順次成長させ、発光ダイオード構造を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に面方位がC面と異なる第1のGaN系III-V族化合物半導体層を成長させる工程と、 上記第1のGaN系III-V族化合物半導体層をシードとし、圧力が50kPa以下の条件で面方位がA面の第2のGaN系III-V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、 上記第2のGaN系III-V族化合物半導体層上に成長原料のV/III比が1000よりも高い条件で面方位がA面の第1導電型の第3のGaN系III-V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041FF01
引用特許：
出願人引用 (2件)

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