特許
J-GLOBAL ID：200903019014477037
電子線縮小転写方法及び電子線縮小転写装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100862
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284395
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 4GDRAM以降の高密度・微細パターンをも高スループットで形成できる電子線を用いた転写方法を提供する。【解決手段】 本発明の電子線縮小転写方法では、レチクル上に形成された半導体装置1チップのパターン領域22を複数の主視野23に分割し、さらに各主視野23を複数の副視野24に分割する。副視野分割に際し、パターン密度が高い領域は副視野面積を狭くし、パターン密度が低い領域は副視野面積を広くする。これにより、レチクルを通過した電子線全体でのビーム電流値は均一化され、空間電荷効果も均一化される。
請求項（抜粋）：
レチクル上に形成された半導体装置1チップのパターン領域を複数の主視野に分割し、各主視野を複数の副視野に分割し、各副視野を単位として光学条件を変化させながらレチクル上を電気的に走査することにより電子線照明し、レチクルを通過してパターン化された電子線照明光を試料上に縮小転写する電子線縮小転写方法において;副視野分割に際し、パターン密度が高い領域は副視野面積を狭くし、パターン密度が低い領域は副視野面積を広くし、かつ上記電気的走査速度を可変制御することを特徴とする電子線縮小転写方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G21K 5/04
, H01J 37/305
H01L 21/30 541 T
, G21K 5/04 M
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 A
