特許

J-GLOBAL ID：200903019021223539

シリコンオキサイド半導体膜の成膜方法

発明者： ポーポン シッチャヌリッツ
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054433
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267868
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】太陽電池の窓層として用いるために他の元素を添加してワイドギャップ化するときに低下するa-Si系膜の光導電率を向上させるために微結晶化する。【構成】CO2 の (SiH4 +CO2 ) に対する流量比を0.6以下とした (CO2 +SiH4 +H4 ) 混合ガスを高周波パワー密度を高めてグロー放電分解すると、Siの微結晶相とa-SiO相とが混在している半導体膜を得ることができる。この膜は、10-6S/cm以上の高光導電率で、吸収係数が106 cm-1以下の低い値を示す。

請求項（抜粋）：

少なくともSiH4 、CO2 およびH2 を含み、CO2 / (SiH4 +CO2 ) の値が0.6以下である原料ガスの分解によることを特徴とするシリコンの微結晶相を含む非晶質シリコンオキサイドよりなるシリコンオキサイド半導体膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04