特許
J-GLOBAL ID：200903019028697900

キャパシタの製造方法

発明者：
藤原 秀二

藤原 秀二 について

, 
廣田 俊幸

廣田 俊幸 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308787
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145389
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 HSGのサイズを適正かつ均一に制御し、不純物の空乏化を防止することにより、高容量のキャパシタを提供する。【解決手段】 容量コンタクトプラグ6の一部と接続するように第一の非晶質シリコン層10を形成し、その上に第二の非晶質シリコン層11、第三の非晶質シリコン層12を形成する。第一および第三の非晶質シリコン層はノンドープシリコン層とし、第二の非晶質シリコン層はリンドープトシリコン層とする。つづいて第一および第三の非晶質シリコン層の表面にHSG14を成長させる。誘電体膜を形成等した後に熱処理し、HSG中にリンを拡散させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の下部電極形成領域と接続するように第一の非晶質シリコン層を形成し、その上に第二のドープト非晶質シリコン層、第三の非晶質シリコン層を、前記第一の非晶質シリコン層の不純物濃度および前記第三の非晶質シリコン層の不純物濃度が前記第二のドープト非晶質シリコン層の不純物濃度よりも低くなるように設定して、順に形成する工程と、前記第一の非晶質シリコン層の少なくとも一部と、前記第三の非晶質シリコン層の少なくとも一部とをエッチングにより露出させる工程と、前記第一の非晶質シリコン層および前記第三の非晶質シリコン層の表面の少なくとも一部に、半球形状の微細なグレイン(HSG)を形成する工程と、アニール処理を行い前記HSGに不純物を拡散させることにより下部電極を形成する工程とを含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許：
審査官引用 (4件)
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