絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033985
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245394
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】制限電流値の電源電圧に対する依存性を低減して安定した過電流保護が行えるようにした電流検出機能付き絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供する。【構成】多数の主セル(IGBT)6を集積形成した半導体基板5の一部に電流検出用のセンスセル(IGBT)9を形成し、かつセンスセルのエミッタ電極10を外部の過電流保護回路に接続して電流検出,過電流保護を行うようにした絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、センスセルと隣接の主セルとの間に、電子の拡散距離を考慮して少なくとも100μm以上の間隔を設定して両者間を電気的に隔離し、さらにセンスセルの周囲に沿った領域に、主セルのエミッタ電極に接続した正孔電流引抜き用のPウェル11を形成し、主セルとセンスセル相互間のキャリア干渉を抑えて電流比率の安定化を図る。

請求項（抜粋）：

多数の主セルを集積形成した半導体基板の一部に電流検出用のセンスセルを形成し、かつ該センスセルのエミッタ電極を主セルのエミッタ電極と分離して過電流保護回路に接続した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、前記センスセルを主セルから電気的に隔離してレイアウトしたことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 29/78 321 K , H01L 27/04 H , H01L 29/78 321 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-361571
特開昭63-289954
特開平2-285679

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