特許

J-GLOBAL ID：200903019049649175

レジストパターン形成方法

発明者： 吉澤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001344
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208548
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 基板の真空中での放置時間に依存するレジストパターンの寸法変動を低減し、レジストパターンの寸法精度を向上する。【解決手段】 レジスト塗布/現像装置10でレジストを塗布した後のウェハを真空露光装置12の搬出入用真空チャンバー121まで搬送するのに要する搬送時間TFを計測する。また、真空露光装置12においてウェハ上の1チップの露光にかかる時間からウェハ上に形成される全てのチップに対して露光が終了するまでの時間TDを計算する。この露光時間TDから搬送時間TFを差し引いた時点で、ウェハの搬出入用真空チャンバー121への搬送を開始する。これにより、ウェハが搬出入用真空チャンバー121を含めた真空露光装置12内の真空中に晒される真空放置時間Tを一定にして、レジストパターン寸法の安定化を図る。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布/現像装置と真空露光装置により基板にレジストパターンを形成する方法であって、前記レジスト塗布/現像装置でレジスト塗布処理された後の基板の前記真空露光装置内における露光時間を含む真空中での真空放置時間を一定にした、ことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/38

FI (4件)：

G03F 7/20 501 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 562

Fターム (16件)：

2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096DA10 ,  2H096FA03 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H097AA03 ,  2H097BB10 ,  2H097CA11 ,  2H097CA15 ,  2H097CA16 ,  2H097CA17 ,  2H097LA10 ,  5F046AA28 ,  5F056DA13 ,  5F056DA30