半導体装置とその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-114020
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267032
出願日： 2008年04月24日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】半導体装置の小型化を実現するとともに、高い耐圧特性を持つ半導体装置を提供する。【解決手段】ダイオード100は、SiC基板2の表面にn型のドリフト層6と、p型のガードリング領域8と、アノード電極10と、カソード電極12を備えている。ダイオード100では、アノード電極10の端部10aを覆う位置からSiC基板2の側面まで連続して絶縁膜であるSOG4が形成されている。ダイオード100に逆方向の高電圧が印加されたときに、SOG4が接地電位となるアノード電極10の端部10aに接する位置から高電位となるSiC基板の側面2aに接する位置までの距離を確保することができる。アノード電極10と終端領域の距離を離さなくても、SOG4の距離を確保することによって、沿面放電の発生を抑制することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、その半導体素子の第1主面の一部に形成されている第1主電極と、前記半導体素子の第2主面に形成されている第2主電極と、前記第1主電極の少なくとも一部を覆う位置から前記第1主面に沿って前記半導体素子の側面まで連続して伸びている絶縁膜を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/283 , H01L 29/861 , H01L 29/06

FI (6件)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L29/48 P , H01L21/283 B , H01L29/91 F , H01L29/06 301G

Fターム (13件)：

4M104AA03 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104EE01 , 4M104EE15 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

高耐電圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-394708 出願人：関西電力株式会社

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