特許
J-GLOBAL ID：200903019053861073
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-080016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275241
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 良質な窓構造を有する、高出力、且つ高品位な半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】 有機金属気相成長法により、Zn原料として例えばジメチルジンク(DMZn)、Se原料として例えばジメチルセレン(DMSe)を用いて、例えば450°Cの成長温度でZnSe層を共振器端面近傍に成長させる。この時、共振器端面近傍にはマスクが存在しないために、直接P型GaAsコンタクト層5上にZnSeが成長し、Znがレーザ結晶中に拡散するが、それ以外の部分ではマスクによりZnの拡散は起こらない。ここでZnSe層の成長温度の範囲を400°C〜550°Cとする。最後に成長したZnSeをエッチングにより取り除き、次にN型側電極7として例えばAu/Ge/Ni/Auを、また、P型側電極8として例えばTi/Pt/Auを蒸着して半導体レーザを作成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも第一のクラッド層と、活性層と、第二のクラッド層と、コンタクト層を有する半導体レーザであって、Zn、Cd、Mgから成る群より選ばれた少なくともZnを含む一種以上のII族元素と、Te、Se、Sから成る群より選ばれた一種以上のVI族元素とから成るII-VI族化合物半導体を、共振器端面近傍のコンタクト層、或いは第二のクラッド層上に積層することにより、Znを共振器端面近傍の活性層に拡散させたこと、を特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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