特許

J-GLOBAL ID：200903019058481554

高周波電力増幅器

発明者： 井 上 智 利
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-045563
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237648
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 高調波成分による電力効率の低下が起きにくい高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】 本発明の高周波電力増幅器は、入力整合回路1と、電力増幅を行うFET(Q1)を内蔵する第1の半導体チップ2と、段間整合回路3と、電力増幅を行うFET(Q2)を内蔵する第2の半導体チップ4と、基本波整合回路5とを、モジュール基板6上に形成したものであり、第2の半導体チップ4内に2倍波整合回路8が設けられる。FET(Q2)のドレイン端子と、その後段の2倍波整合回路8との間の寄生容量や寄生インダクタンスを小さくすることができ、電力効率を向上させることができる。また、本発明は、基本的な回路構成自体は従来の電力増幅器と同じであるため、設計変更が容易であり、コストをかけることなく電力効率の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

縦続接続された複数の電力増幅を行う半導体チップが実装されたモジュール基板を備えた高周波電力増幅器において、最終段の前記半導体チップの後段に配置され、かつ、前記モジュール基板上に実装され、かつ、前記最終段の半導体チップ内の前記電力増幅回路から出力される信号の基本波成分に対する整合処理を行う基本波整合回路を備え、前記最終段の前記半導体チップは、該半導体チップ内の前記電力増幅回路から出力される信号の高調波成分に対する整合処理を行う高調波整合回路を有することを特徴とする高周波電力増幅器。

IPC (3件)：

H03F 1/02 ,  H03F 3/195 ,  H03F 3/213

FI (3件)：

H03F 1/02 ,  H03F 3/195 ,  H03F 3/213

Fターム (30件)：

5J091AA01 ,  5J091AA41 ,  5J091CA18 ,  5J091CA36 ,  5J091CA92 ,  5J091FA16 ,  5J091HA09 ,  5J091HA29 ,  5J091HA33 ,  5J091KA13 ,  5J091KA29 ,  5J091MA21 ,  5J091SA13 ,  5J091TA01 ,  5J091UW08 ,  5J092AA01 ,  5J092AA41 ,  5J092CA18 ,  5J092CA36 ,  5J092CA92 ,  5J092FA16 ,  5J092HA09 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092KA13 ,  5J092KA29 ,  5J092MA21 ,  5J092SA13 ,  5J092TA01 ,  5J092VL08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-153027   出願人：三菱電機株式会社
• 高周波増幅装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-185672   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-279608
  
• 特開昭63-279608