特許
J-GLOBAL ID：200903019060909600
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014510
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206145
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ゲッタリング効果の高い裏面ポリシリコンを形成する。【構成】 1050°Cを超える高温の熱処理時に第1のポリシリコン膜を用いてゲッタリングを行い、その膜は次の熱処理までに除去する。その後に新たに第2のポリシリコン膜8を裏面に堆積することで、後のゲッタリング効果を高める。【効果】 第1のポリシリコン膜を除去しない場合に比べて、除去した後に再度第2のポリシリコン膜を堆積することによって、50パーセント以上の鉄原子のゲッタリング効果が確認された。
請求項（抜粋）：
半導体シリコン基板の裏面にポリシリコン膜を堆積する工程と、1050°Cを越える第1の熱処理を行なう工程と、前記第1の熱処理後で、第2の高温熱処理を行なう前に前記ポリシリコン膜を除去する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
引用特許：
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