特許
J-GLOBAL ID：200903019061064859
結晶性薄膜の成形法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122756
公開番号（公開出願番号）：特開平6-329497
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【目的】 異方性が強く結晶構造が異なるために基板との整合性がわるい薄膜であっても該基板上に良好な膜質で単一相の膜を形成することができる結晶性薄膜の製法を提供する。【構成】 基板上に結晶性薄膜を形成する方法であって、該結晶性薄膜の成分元素からなり構造相転移を伴うバッファ層を成膜し、さらに温度を変化させて前記結晶性薄膜を成膜すると共に前記バッファ層を相転移させることにより単一相の薄膜とする。
請求項（抜粋）：
基板上に結晶性薄膜を形成する方法であって、該結晶性薄膜の成分元素からなり構造相転移を伴うバッファ層を成膜し、さらに温度を変化させて前記結晶性薄膜を成膜すると共に前記バッファ層を相転移させることにより単一相の薄膜とすることを特徴とする結晶性薄膜の形成法。
IPC (6件)：
C30B 25/02
, C30B 25/18
, G11C 11/22
, H01G 4/06 102
, H01L 21/02
, H01L 27/108
